IXTN32P60P
Module; single transistor; -600V; -32A; SOT227B; screw; Idm: -96A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXTN32P60P
TME Simbols:
IXTN32P60P
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | -600V | |
Drain current | -32A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,35Ω | |
Pulsed drain current | -96A | |
Power dissipation | 890W | |
Technology | PolarP™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 196nC | |
Reverse recovery time | 480ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto38.3 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXTN32P60PGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 39.79 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 48.14 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 35.80 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 43.32 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 31.61 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 38.25 EUR
Grūti pieejams produkts
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab