IXTN40P50P
Module; single transistor; -500V; -40A; SOT227B; screw; Idm: -120A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXTN40P50P
TME Simbols:
IXTN40P50P
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | -500V | |
Drain current | -40A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,23Ω | |
Pulsed drain current | -120A | |
Power dissipation | 890W | |
Technology | PolarP™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 205nC | |
Reverse recovery time | 477ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto36.87 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXTN40P50PGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 35.57 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 43.04 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 31.27 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 37.83 USD
Neto cena par daudzumiem no 20 gab - 30.17 USDBruto cena par daudzumiem no 20 gab - 36.51 USD
Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 28.90 USDBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 34.97 USD
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab