IXTN550N055T2
Module; single transistor; 55V; 550A; SOT227B; screw; Idm: 1.65kA
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXTN550N055T2
TME Simbols:
IXTN550N055T2
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 55V | |
Drain current | 550A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 1,3mΩ | |
Pulsed drain current | 1,65kA | |
Power dissipation | 940W | |
Technology | GigaMOS™, TrenchT2™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 595nC | |
Reverse recovery time | 100ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto35.71 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXTN550N055T2Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 34.59 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 41.85 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 32.17 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 38.93 EUR
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab