IXTN600N04T2
Module; single transistor; 40V; 600A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXTN600N04T2
TME Simbols:
IXTN600N04T2
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 40V | |
Drain current | 600A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 1,3mΩ | |
Pulsed drain current | 1,8kA | |
Power dissipation | 940W | |
Technology | GigaMOS™, TrenchT2™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 590nC | |
Reverse recovery time | 100ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto30 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXTN600N04T2Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 30.06 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 36.38 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 26.19 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 31.69 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 25.28 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 30.58 EUR