IXTN80N30L2
Module; single transistor; 300V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXTN80N30L2
TME Simbols:
IXTN80N30L2
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 300V | |
Drain current | 80A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 38mΩ | |
Pulsed drain current | 200A | |
Power dissipation | 735W | |
Technology | Linear L2™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 660nC | |
Reverse recovery time | 485ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto30 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXTN80N30L2Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 43.07 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 52.12 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 38.81 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 46.96 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 34.32 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 41.53 USD