IXTN90N25L2
Module; single transistor; 250V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 360A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXTN90N25L2
TME Simbols:
IXTN90N25L2
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 250V | |
Drain current | 90A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 36mΩ | |
Pulsed drain current | 360A | |
Power dissipation | 735W | |
Technology | Linear L2™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 640nC | |
Reverse recovery time | 266ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto30 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXTN90N25L2Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 46.17 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 55.86 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 41.85 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 50.63 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 39.53 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 47.83 EUR
Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 37.31 EURBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 45.14 EUR