JAN1N5809
Diode: rectifying; THT; 100V; 6A; Ifsm: 125A; Ufmax: 875mV; Ir: 5uA
JAUNUMS
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
JAN1N5809
TME Simbols:
JAN1N5809
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of diode | rectifying | |
Mounting | THT | |
Max. off-state voltage | 0,1kV | |
Load current | 6A | |
Capacitance | 60pF | |
Max. forward impulse current | 125A | |
Max. forward voltage | 0,875V | |
Max. load current | 6A | |
Leakage current | 5µA | |
Reverse recovery time | 30ns |
Masa bruto1.1 g
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Universālas diodes THT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* JAN1N5809Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 118 gab - 5.81 USDBruto cena par daudzumiem no 118 gab - 7.02 USD
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem