MSCSM120AM027CD3AG
Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 584A; D3; Idm: 1400A; 2.97kW
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
MSCSM120AM027CD3AG
TME Simbols:
MSCSM120AM027CD3AG
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | ||
Semiconductor structure | SiC diode/transistor | ||
Drain-source voltage | 1,2kV | ||
Drain current | 584A | ||
Case | D3 | ||
Topology | MOSFET half-bridge + parrallel diodes | ||
Electrical mounting | FASTON connectors, screw | ||
On-state resistance | 3,5mΩ | ||
Pulsed drain current | 1400A | ||
Power dissipation | 2,97kW | ||
Technology | SiC | ||
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto350 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* MSCSM120AM027CD3AGGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 801.34 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 969.62 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem