MSCSM120AM08CT3AG
Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 268A; SP3F; Press-in PCB
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
MSCSM120AM08CT3AG
TME Simbols:
MSCSM120AM08CT3AG
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | ||
Semiconductor structure | SiC diode/transistor | ||
Drain-source voltage | 1,2kV | ||
Drain current | 268A | ||
Case | SP3F | ||
Topology | MOSFET half-bridge + parrallel diodes, NTC thermistor | ||
Electrical mounting | Press-in PCB | ||
On-state resistance | 7,8mΩ | ||
Pulsed drain current | 675A | ||
Power dissipation | 1,409kW | ||
Technology | SiC | ||
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto110 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* MSCSM120AM08CT3AGGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 2)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 2 gab - 322.48 EURBruto cena par daudzumiem no 2 gab - 390.20 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem