MSCSM120AM31CT1AG
Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 71A; SP1F; Press-in PCB; 395W
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
MSCSM120AM31CT1AG
TME Simbols:
MSCSM120AM31CT1AG
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | SiC diode/transistor | |
Drain-source voltage | 1,2kV | |
Drain current | 71A | |
Case | SP1F | |
Topology | MOSFET half-bridge + parrallel diodes, NTC thermistor | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
On-state resistance | 31mΩ | |
Pulsed drain current | 180A | |
Power dissipation | 395W | |
Technology | SiC | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto80 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* MSCSM120AM31CT1AGGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 193.29 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 233.88 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 173.62 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 210.07 USD
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem