MSCSM120AM50CT1AG
Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 44A; SP1F; Press-in PCB; 245W
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
MSCSM120AM50CT1AG
TME Simbols:
MSCSM120AM50CT1AG
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | ||
Semiconductor structure | SiC diode/transistor | ||
Drain-source voltage | 1,2kV | ||
Drain current | 44A | ||
Case | SP1F | ||
Topology | MOSFET half-bridge + parrallel diodes, NTC thermistor | ||
Electrical mounting | Press-in PCB | ||
On-state resistance | 50mΩ | ||
Pulsed drain current | 110A | ||
Power dissipation | 245W | ||
Technology | SiC | ||
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto80 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* MSCSM120AM50CT1AGGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 9)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 9 gab - 57.95 GBPBruto cena par daudzumiem no 9 gab - 70.12 GBP
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem