MSCSM120HM31CT3AG
Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 71A; SP3F; Press-in PCB; 395W
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
MSCSM120HM31CT3AG
TME Simbols:
MSCSM120HM31CT3AG
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | SiC diode/transistor | |
Drain-source voltage | 1,2kV | |
Drain current | 71A | |
Case | SP3F | |
Topology | H bridge + parrallel diodes, NTC thermistor | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
On-state resistance | 31mΩ | |
Pulsed drain current | 180A | |
Power dissipation | 395W | |
Technology | SiC | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto110 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* MSCSM120HM31CT3AGGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 4)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 4 gab - 200.85 USDBruto cena par daudzumiem no 4 gab - 243.02 USD
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem