STGAP2SICD
IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO36-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 2
Ražotājs: STMicroelectronics
Oriģināls simbols:
STGAP2SICD
TME Simbols:
STGAP2SICD
Specifikācija
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Type of integrated circuit | driver | |
Kind of integrated circuit | SiC MOSFET gate driver | |
Case | SO36-W | |
Output current | -4...4A | |
Output voltage | 1,2kV | |
Number of channels | 2 | |
Integrated circuit features | galvanically isolated | |
Mounting | SMD | |
Operating temperature | -40...125°C | |
Kind of package | tube |
Supply voltage
- 3,1...5,5V
Masa bruto10 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: MOSFET/IGBT draiveri STMicroelectronics,
* STGAP2SICDGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.43 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 5.36 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 3.90 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 4.72 USD
Neto cena par daudzumiem no 16 gab - 3.59 USDBruto cena par daudzumiem no 16 gab - 4.34 USD
Neto cena par daudzumiem no 32 gab - 3.43 USDBruto cena par daudzumiem no 32 gab - 4.15 USD
Neto cena par daudzumiem no 96 gab - 3.29 USDBruto cena par daudzumiem no 96 gab - 3.99 USD
Neto cena par daudzumiem no 320 gab - 2.96 USDBruto cena par daudzumiem no 320 gab - 3.58 USD
Neto cena par daudzumiem no 1280 gab - 2.74 USDBruto cena par daudzumiem no 1280 gab - 3.32 USD
Neto cena par daudzumiem no 2400 gab - 2.53 USDBruto cena par daudzumiem no 2400 gab - 3.06 USD