STGAP2SICSTR
IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 1
Ražotājs: STMicroelectronics
Oriģināls simbols:
STGAP2SICSTR
TME Simbols:
STGAP2SICSTR
Specifikācija
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Type of integrated circuit | driver | |
Kind of integrated circuit | SiC MOSFET gate driver | |
Case | SO8-W | |
Output current | -4...4A | |
Output voltage | 1,2kV | |
Number of channels | 1 | |
Integrated circuit features | galvanically isolated | |
Mounting | SMD | |
Operating temperature | -40...125°C | |
Kind of package | reel, tape |
Supply voltage
- 3,1...5,5V
Masa bruto1 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: MOSFET/IGBT draiveri STMicroelectronics,
* STGAP2SICSTRGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.06 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.91 GBP
Neto cena par daudzumiem no 4 gab - 3.53 GBPBruto cena par daudzumiem no 4 gab - 4.27 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.17 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.83 GBP
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 2.87 GBPBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 3.47 GBP
Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 2.70 GBPBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 3.26 GBP
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 2.54 GBPBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 3.07 GBP
Neto cena par daudzumiem no 250 gab - 2.35 GBPBruto cena par daudzumiem no 250 gab - 2.84 GBP
Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 2.23 GBPBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 2.69 GBP
Neto cena par daudzumiem no 1000 gab - 2.13 GBPBruto cena par daudzumiem no 1000 gab - 2.58 GBP
Neto cena par daudzumiem no 2000 gab - 2.05 GBPBruto cena par daudzumiem no 2000 gab - 2.49 GBP