STGP6M65DF2
Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; TO220AB
Ražotājs: STMicroelectronics
Oriģināls simbols:
STGP6M65DF2
TME Simbols:
STGP6M65DF2
Specifikācija
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Type of transistor | IGBT | |
Collector-emitter voltage | 650V | |
Collector current | 6A | |
Power dissipation | 88W | |
Case | TO220AB | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 24A | |
Mounting | THT | |
Gate charge | 21,2nC | |
Kind of package | tube | |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Masa bruto2 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Tranzistori IGBT THT STMicroelectronics,
* STGP6M65DF2Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.05 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.27 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.81 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.98 GBP
Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.62 GBPBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.75 GBP
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.55 GBPBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.67 GBP
Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.52 GBPBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.63 GBP