Moduļi IGBT; Collector current:10A
(16)Manufacturer [16]
Type of semiconductor module [16]
Gate-emitter voltage [16]
Collector current [16]
Case [16]
Topology [16]
Mechanical mounting [14]
Pulsed collector current [13]
Electrical mounting [13]
Max. off-state voltage [13]
Semiconductor structure [13]
Application [10]
Technology [9]
Power dissipation [1]
Power [4]
Collector current10A
Produktu: 16
Noliktava:
Visi
Kārtošana
Pielāgošana
Pielāgošana
Produkta simbols
Simbols (kārtošana pēc pieejamības)
Oriģināls simbols
Cena no pirmās daudzuma pakāpes
Cena no pēdējās daudzuma pakāpes
Noliktavas stāvokļa
Application
Case
Collector current
Electrical mounting
Gate-emitter voltage
Manufacturer
Max. off-state voltage
Mechanical mounting
Power
Power dissipation
Pulsed collector current
Semiconductor structure
Technology
Topology
Type of semiconductor module
Lejupejoši
Lapa 1
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Oriģināls simbols: GD10PJX65F1S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 30.25 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 36.60 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 26.76 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 32.38 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 24.06 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 29.11 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 22.47 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 27.18 EUR
19 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A
Oriģināls simbols: SKIIP 02NAC066V3 25232320
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 69.78 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 84.43 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 61.69 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 74.65 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 55.41 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 67.04 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 10A
Oriģināls simbols: SKIIP 02NEB066V3 25232300
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 198 gab - 16.57 EURBruto cena par daudzumiem no 198 gab - 20.05 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 198)
Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; screw
Oriģināls simbols: SKIIP 02NEC066V3 25232310
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 67.88 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 82.14 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 60.00 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 72.60 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 53.91 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 65.23 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Oriģināls simbols: GD10PJY120L2S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 27.65 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 33.46 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 24.46 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 29.60 EUR
Neto cena par daudzumiem no 12 gab - 21.97 EURBruto cena par daudzumiem no 12 gab - 26.58 EUR
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 20.47 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 24.77 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 10A
Oriģināls simbols: SKIIP 12NAB066V1 25230590
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 75.47 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 91.32 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 66.68 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 80.69 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 59.90 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 72.47 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Oriģināls simbols: GD10PJY120F4S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 32.65 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 39.50 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 28.85 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 34.91 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 25.96 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 31.41 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 24.16 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 29.23 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Oriģināls simbols: SKIIP 11NAB12T7V1 25232040
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 103.82 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 125.62 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 91.74 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 111.00 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 82.36 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 99.65 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Oriģināls simbols: GD10PJY120F1S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 30.55 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 36.96 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 26.96 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 32.62 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 24.26 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 29.36 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 22.66 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 27.42 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 10A; AG-EASY1B-1; Inverter; 105W
Oriģināls simbols: FP10R12W1T4BOMA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 24.56 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 29.72 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 24)
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A
Oriģināls simbols: FP10R12W1T7B11BOMA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 30.19 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 36.53 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 10A; AG-EASY1B-2; Inverter; screw
Oriģināls simbols: FP10R12W1T7B3BOMA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 22.76 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 27.54 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 24)
Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 10A; AG-EASY1B; Inverter
Oriģināls simbols: FP10R12W1T7PB11BPSA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 30.15 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 36.48 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 30)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Oriģināls simbols: GD10PJX65L2S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 24.56 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 29.72 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 21.67 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 26.21 EUR
Neto cena par daudzumiem no 12 gab - 19.47 EURBruto cena par daudzumiem no 12 gab - 23.56 EUR
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 18.17 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 21.99 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 10A; screw
Oriģināls simbols: SKIIP 11AC12T7V1 25231880
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 88.84 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 107.50 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 78.56 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 95.06 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 70.58 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 85.40 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge x2
Oriģināls simbols: SKIIP 11ACC12T7V1 25232790
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 126.78 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 153.40 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 111.80 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 135.28 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 100.82 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 121.99 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)