Moduļi IGBT; Collector current:15A
(26)Manufacturer [26]
Type of semiconductor module [26]
Gate-emitter voltage [26]
Collector current [26]
Case [26]
Topology [24]
Mechanical mounting [22]
Electrical mounting [22]
Pulsed collector current [21]
Max. off-state voltage [22]
Semiconductor structure [22]
Application [18]
Technology [14]
Power dissipation [4]
Power [5]
Collector current15A
Produktu: 26
Noliktava:
Visi
Kārtošana
Pielāgošana
Pielāgošana
Produkta simbols
Simbols (kārtošana pēc pieejamības)
Oriģināls simbols
Cena no pirmās daudzuma pakāpes
Cena no pēdējās daudzuma pakāpes
Noliktavas stāvokļa
Application
Case
Collector current
Electrical mounting
Gate-emitter voltage
Manufacturer
Max. off-state voltage
Mechanical mounting
Power
Power dissipation
Pulsed collector current
Semiconductor structure
Technology
Topology
Type of semiconductor module
Lejupejoši
Lapa 1
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 15A
Oriģināls simbols: SKIIP 11NAB126V1 25230010
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 35.30 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 42.72 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 31.71 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 38.36 EUR
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 29.61 EURBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 35.82 EUR
22 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw
Oriģināls simbols: SKIIP 12NAB12T4V1 25231440
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 43.71 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 52.88 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 38.61 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 46.71 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 34.71 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 41.99 EUR
11 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 600V
Oriģināls simbols: SKIIP 12HEB066V1 25230840
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 40.20 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 48.65 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 35.51 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 42.96 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 31.91 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 38.60 EUR
117 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Grūti pieejams produkts
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Oriģināls simbols: FP15R12W1T4_B3
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 35.88 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 43.41 EUR
Neto cena par daudzumiem no 2 gab - 34.61 EURBruto cena par daudzumiem no 2 gab - 41.87 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 34.20 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 41.39 EUR
16 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Oriģināls simbols: GD15PJY120F1S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 35.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 42.35 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 30.91 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 37.39 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 27.81 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 33.64 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 25.91 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 31.34 EUR
24 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Oriģināls simbols: GD15PJY120L2S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 32.30 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 39.08 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 28.61 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 34.61 EUR
Neto cena par daudzumiem no 12 gab - 25.71 EURBruto cena par daudzumiem no 12 gab - 31.10 EUR
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 23.91 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 28.92 EUR
16 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 15A
Oriģināls simbols: SKIIP 03NEB066V3 25232360
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 75.61 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 91.48 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 66.81 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 80.83 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 60.00 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 72.61 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 15A; P: 5.5kW
Oriģināls simbols: SKIIP 12AC12T4V1 25231590
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 96.51 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 116.77 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 85.30 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 103.22 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 76.61 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 92.69 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 600V
Oriģināls simbols: SKIIP 11HEB066V1 25230830
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 85.10 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 102.98 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 75.20 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 91.00 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 67.51 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 81.68 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 15A
Oriģināls simbols: SKIIP 13NAB066V1 25230600
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 90.71 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 109.75 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 80.20 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 97.04 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 72.00 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 87.12 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Oriģināls simbols: GD15PJY120F4S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 37.10 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 44.90 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 32.81 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 39.69 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 29.40 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 35.58 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 27.51 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 33.28 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Oriģināls simbols: SKIIP 22NAB12T4V2 25232140
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 145.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 175.46 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 128.00 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 154.88 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 115.00 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 139.15 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Oriģināls simbols: A1C15S12M3
Ražotājs: STMicroelectronics
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 45.55 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 55.12 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 40.26 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 48.72 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 38.85 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 47.01 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 15A; AG-EASY1B-2; Inverter
Oriģināls simbols: FP15R06W1E3B11BOMA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 22.40 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 27.11 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 24)
Module: IGBT; Ic: 15A; AG-EASY1B-2; Inverter; Field Stop,Trench
Oriģināls simbols: FP15R12W1T7B11BOMA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 26.20 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 31.71 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 24)
Module: IGBT; Ic: 15A; AG-EASY1B-2; Inverter; Field Stop,Trench
Oriģināls simbols: FP15R12W1T7B3BOMA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 24.51 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 29.65 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 24)
Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 15A; AG-EASY1B-2; Inverter
Oriģināls simbols: FP15R12W1T7BOMA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 29.40 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 35.58 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 24)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Oriģināls simbols: GD15PJX65F1S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 33.40 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 40.42 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 29.51 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 35.70 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 26.51 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 32.07 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 24.81 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 30.01 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Oriģināls simbols: GD15PJX65L2S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 27.71 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 33.52 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 24.40 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 29.53 EUR
Neto cena par daudzumiem no 12 gab - 22.00 EURBruto cena par daudzumiem no 12 gab - 26.62 EUR
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 20.51 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 24.81 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Oriģināls simbols: GD15PJY120F2S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 25)
Produkts pēc speciālā pasūtījuma