Moduļi IGBT; Collector current:20A
(15)Manufacturer [15]
Type of semiconductor module [15]
Gate-emitter voltage [14]
Collector current [15]
Case [15]
Topology [15]
Mechanical mounting [13]
Electrical mounting [12]
Pulsed collector current [12]
Max. off-state voltage [12]
Semiconductor structure [12]
Application [12]
Technology [12]
Power dissipation [6]
Power [2]
Version [1]
Collector current20A
Produktu: 15
Noliktava:
Visi
Kārtošana
Pielāgošana
Pielāgošana
Produkta simbols
Simbols (kārtošana pēc pieejamības)
Oriģināls simbols
Cena no pirmās daudzuma pakāpes
Cena no pēdējās daudzuma pakāpes
Noliktavas stāvokļa
Application
Case
Collector current
Electrical mounting
Gate-emitter voltage
Manufacturer
Max. off-state voltage
Mechanical mounting
Power
Power dissipation
Pulsed collector current
Semiconductor structure
Technology
Topology
Type of semiconductor module
Version
Lejupejoši
Lapa 1
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; D56
Oriģināls simbols: SKM200GAL125D 22890740
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 163.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 197.23 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 148.00 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 179.08 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 137.00 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 165.78 EUR
47 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 20A
Oriģināls simbols: SKIIP 04AC066V1 25230690
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 198 gab - 19.71 EURBruto cena par daudzumiem no 198 gab - 23.85 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 198)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A
Oriģināls simbols: GD20PJX65L2S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 34.51 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 41.75 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 30.40 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 36.79 EUR
Neto cena par daudzumiem no 12 gab - 27.30 EURBruto cena par daudzumiem no 12 gab - 33.03 EUR
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 25.51 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 30.86 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A
Oriģināls simbols: GD20PJX65F1S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 35.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 42.35 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 31.00 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 37.52 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 27.81 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 33.64 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 26.00 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 31.47 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Oriģināls simbols: MWI15-12A7
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 96.40 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 116.65 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 85.20 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 103.09 EUR
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 76.51 EURBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 92.57 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGT20H60T1G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 59.75 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 72.29 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 600V; Ic: 20A; SP1; screw
Oriģināls simbols: APTGT20TL601G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 19 gab - 42.05 EURBruto cena par daudzumiem no 19 gab - 50.89 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 19)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 20A; AG-EASY1B-2; screw
Oriģināls simbols: DF80R07W1H5FPB11BPSA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 24.00 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 29.04 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 30)
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A
Oriģināls simbols: FP20R06W1E3B11BOMA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 23.20 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 28.07 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 24)
Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 20A; AG-EASY1B-1; Inverter; 94W
Oriģināls simbols: FP20R06W1E3BOMA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 24.20 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 29.29 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 24)
Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 20A; AG-EASY2B-2; Inverter
Oriģināls simbols: FS3L40R07W2H5FB11BOMA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 15 gab - 60.51 EURBruto cena par daudzumiem no 15 gab - 73.21 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 15)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Oriģināls simbols: MIXA20W1200TML
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 30.71 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 37.15 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 27.61 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 33.40 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 24.40 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 29.53 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 20A
Oriģināls simbols: MIXA20WB1200TED
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 88.20 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 106.73 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 79.40 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 96.07 EUR
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 70.10 EURBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 84.83 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 20A
Oriģināls simbols: MIXA20WB1200TML
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 35.30 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 42.72 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 31.81 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 38.48 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 28.10 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 34.00 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A
Oriģināls simbols: SKIIP 14NAB066V1 25230610
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 93.61 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 113.26 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 82.71 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 100.07 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 74.30 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 89.91 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)