Moduļi IGBT; Collector current:30A
(27)Manufacturer [27]
Type of semiconductor module [27]
Gate-emitter voltage [27]
Collector current [27]
Case [25]
Topology [26]
Mechanical mounting [25]
Electrical mounting [25]
Pulsed collector current [25]
Max. off-state voltage [24]
Semiconductor structure [24]
Application [22]
Technology [21]
Power dissipation [12]
Power [4]
Collector current30A
Produktu: 27
Noliktava:
Visi
Kārtošana
Pielāgošana
Pielāgošana
Produkta simbols
Simbols (kārtošana pēc pieejamības)
Oriģināls simbols
Cena no pirmās daudzuma pakāpes
Cena no pēdējās daudzuma pakāpes
Noliktavas stāvokļa
Application
Case
Collector current
Electrical mounting
Gate-emitter voltage
Manufacturer
Max. off-state voltage
Mechanical mounting
Power
Power dissipation
Pulsed collector current
Semiconductor structure
Technology
Topology
Type of semiconductor module
Lejupejoši
Lapa 1
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Oriģināls simbols: IXA30RG1200DHGLB
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 5.24 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 6.33 EUR
38 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 30A
Oriģināls simbols: SK 25 GB 12T4 24914890
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 33.21 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 40.18 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 29.91 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 36.19 EUR
Neto cena par daudzumiem no 15 gab - 26.41 EURBruto cena par daudzumiem no 15 gab - 31.95 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Oriģināls simbols: SK 30 DGDL 066 ET 24912650
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 70.10 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 84.82 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 62.00 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 75.02 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 55.70 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 67.40 EUR
10 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Oriģināls simbols: FB30R06W1E3BOMA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 26.88 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 32.53 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 25.38 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 30.71 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 24.50 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 29.64 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 30A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXYN30N170CV1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 45.35 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 54.87 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 40.00 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 48.41 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 37.56 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 45.44 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Oriģināls simbols: MIXA30W1200TED
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 75.61 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 91.48 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 66.80 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 80.83 EUR
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 60.00 EURBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 72.60 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 600V; Ic: 30A; SEMITOP3
Oriģināls simbols: SK 30 GD 066 ET 24914960
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 126.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 152.46 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 113.00 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 136.74 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 105.00 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 127.05 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Oriģināls simbols: SKIIP 25NAB066V1 25230620
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 72 gab - 46.60 EURBruto cena par daudzumiem no 72 gab - 56.39 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 72)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Oriģināls simbols: MWI30-06A7T
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 59.40 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 71.88 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 52.50 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 63.53 EUR
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 47.20 EURBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 57.12 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Oriģināls simbols: SKIIP 25NEB066V1 25232400
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 143.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 173.03 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 127.00 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 153.67 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 114.00 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 137.95 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Oriģināls simbols: MWI30-06A7
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 57.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 68.98 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 50.40 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 60.99 EUR
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 45.21 EURBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 54.70 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Oriģināls simbols: SKIIP 15AC066V1 25230700
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 86.90 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 105.15 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 76.80 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 92.93 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 69.00 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 83.49 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Oriģināls simbols: FP30R06KE3BPSA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 54.41 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 65.84 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Oriģināls simbols: GD30PJX65L2S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 32.50 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 39.33 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 28.70 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 34.73 EUR
Neto cena par daudzumiem no 12 gab - 25.81 EURBruto cena par daudzumiem no 12 gab - 31.22 EUR
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 24.11 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 29.17 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGLQ30H65T3G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 19 gab - 42.94 EURBruto cena par daudzumiem no 19 gab - 51.95 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 19)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 30A
Oriģināls simbols: APTGT30A170T1G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 16 gab - 51.77 EURBruto cena par daudzumiem no 16 gab - 62.64 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 16)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGT30H170T3G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 11 gab - 77.24 EURBruto cena par daudzumiem no 11 gab - 93.46 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 11)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGT30H60T1G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 18 gab - 43.55 EURBruto cena par daudzumiem no 18 gab - 52.69 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 18)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 600V; Ic: 30A; SP1; screw
Oriģināls simbols: APTGT30TL601G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 18 gab - 44.46 EURBruto cena par daudzumiem no 18 gab - 53.79 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 18)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Oriģināls simbols: APTGT30X60T3G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 16 gab - 51.46 EURBruto cena par daudzumiem no 16 gab - 62.27 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 16)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem