Moduļi IGBT; Collector current:60A
(25)Manufacturer [25]
Type of semiconductor module [25]
Gate-emitter voltage [25]
Collector current [25]
Case [25]
Topology [22]
Mechanical mounting [24]
Electrical mounting [24]
Pulsed collector current [24]
Max. off-state voltage [24]
Semiconductor structure [24]
Application [21]
Technology [24]
Power dissipation [13]
Kind of package [3]
Collector current60A
Produktu: 25
Noliktava:
Visi
Kārtošana
Pielāgošana
Pielāgošana
Produkta simbols
Simbols (kārtošana pēc pieejamības)
Oriģināls simbols
Cena no pirmās daudzuma pakāpes
Cena no pēdējās daudzuma pakāpes
Noliktavas stāvokļa
Application
Case
Collector current
Electrical mounting
Gate-emitter voltage
Kind of package
Manufacturer
Max. off-state voltage
Mechanical mounting
Power dissipation
Pulsed collector current
Semiconductor structure
Technology
Topology
Type of semiconductor module
Lejupejoši
Lapa 1
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Oriģināls simbols: SK 50 GD 12T4 T 24914940
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 141.24 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 170.90 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 127.35 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 154.09 USD
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 118.08 USDBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 142.88 USD
8 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Oriģināls simbols: MWI50-12A7
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 200.28 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 242.34 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 179.44 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 217.13 USD
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 160.92 USDBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 194.71 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Oriģināls simbols: MWI75-06A7T
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 98.52 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 119.21 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 87.06 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 105.34 USD
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 78.15 USDBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 94.56 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 600V; Ic: 60A
Oriģināls simbols: MKI75-06A7T
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 76.64 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 92.74 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 67.73 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 81.95 USD
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 60.78 USDBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 73.54 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 60A
Oriģināls simbols: MUBW50-12A8
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 214.17 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 259.15 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 189.86 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 229.73 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 171.34 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 207.32 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; tube
Oriģināls simbols: APT65GP60J
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 52.16 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 63.11 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 46.93 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 56.79 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 41.47 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 50.18 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGL60H120T3G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 12 gab - 82.13 USDBruto cena par daudzumiem no 12 gab - 99.38 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 12)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 60A; AG-ECONO2C; Inverter; 190W
Oriģināls simbols: FP50R06KE3BPSA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 15 gab - 83.87 USDBruto cena par daudzumiem no 15 gab - 101.49 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 15)
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 60A
Oriģināls simbols: MIXA60WB1200TEH
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 112.00 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 135.52 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 105.74 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 127.94 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 102.64 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 124.20 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W
Oriģināls simbols: MIXA61H1200ED
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 109.41 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 132.38 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 96.67 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 116.97 USD
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 86.83 USDBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 105.06 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; tube
Oriģināls simbols: APT60GA60JD60
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 47.22 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 57.13 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 42.50 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 51.42 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 37.56 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 45.44 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; tube
Oriģināls simbols: APT65GP60JDQ2
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 54.69 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 66.18 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 49.23 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 59.56 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 43.50 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 52.63 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper x2,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGL60DDA120T3G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 111.01 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 134.33 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 98.09 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 118.69 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 88.11 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 106.62 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 60A; SP3F; screw
Oriģināls simbols: APTGL60TL120T3G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 11 gab - 82.34 USDBruto cena par daudzumiem no 11 gab - 99.62 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 11)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 60A
Oriģināls simbols: APTGTQ100A65T1G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 15 gab - 62.40 USDBruto cena par daudzumiem no 15 gab - 75.50 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 15)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGTQ100DA65T1G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 18 gab - 51.33 USDBruto cena par daudzumiem no 18 gab - 62.10 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 18)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper x2,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGTQ100DDA65T3G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 13 gab - 74.13 USDBruto cena par daudzumiem no 13 gab - 89.69 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 13)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGTQ100H65T3G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 137.59 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 166.48 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGTQ100SK65T1G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 18 gab - 51.33 USDBruto cena par daudzumiem no 18 gab - 62.10 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 18)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 60A
Oriģināls simbols: MDI75-12A3
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 74.44 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 90.07 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 65.76 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 79.57 USD
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 59.04 USDBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 71.44 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)