A1C15S12M3
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А
Виробник: STMicroelectronics
Позначення виробника:
A1C15S12M3
Символ TME:
A1C15S12M3
Специфікація
Виробник | STMicroelectronics | |
Тип напівпровідникового модуля | IGBT | |
Структура напівпровідника | діод/транзистор | |
Топологія | 3-фазни діодний міст, boost chopper, півмісток IGBT x3, термістор NTC | |
Зворотна напруга макс. | 1,2кВ | |
Струм колектора | 15А | |
Корпус | ACEPACK™1 | |
Використання | двигуни, інвертор | |
Електричний монтаж | Press-in PCB | |
Напруга затвор - емітер | ±20В | |
Струм колектора в імпульсі | 30А | |
Потужність розсіювання | 142,8Вт | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто50 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Модулі IGBT STMicroelectronics,
* A1C15S12M3Кількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 52.95 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 52.95 USD
Ціна нетто для партій від 5 pcs - 46.81 USDЦіна брутто для партій від 5 pcs - 46.81 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 45.17 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 45.17 USD