APTGT50H60RT3G
Модуль: IGBT; діод/транзистор; 1-фазовий діодний міст,місток H
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Позначення виробника:
APTGT50H60RT3G
Символ TME:
APTGT50H60RT3G
Специфікація
Виробник | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Тип напівпровідникового модуля | IGBT | |
Структура напівпровідника | діод/транзистор | |
Топологія | 1-фазовий діодний міст, місток H, термістор NTC | |
Зворотна напруга макс. | 0,6кВ | |
Струм колектора | 50А | |
Корпус | SP3F | |
Використання | фотоелектрика | |
Електричний монтаж | Press-in PCB | |
Напруга затвор - емітер | ±20В | |
Струм колектора в імпульсі | 100А | |
Технологія | Field Stop, Trench | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто110 g
Сертифікати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. є імпортером виробів цієї марки
Дивитись інші продукти цієї категорії: Модулі IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTGT50H60RT3GКількість штук (Кратність: 14)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 14 pcs - 56.82 EURЦіна брутто для партій від 14 pcs - 56.82 EUR
Пропозиція доступна для зареєстрованих клієнтів