APTM100A13SCG
Модуль; діод SiC/транзистор; 1кВ; 49А; SP6C; Idm: 240А; 1,25кВт
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Позначення виробника:
APTM100A13SCG
Символ TME:
APTM100A13SCG
Специфікація
Виробник | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | ||
Структура напівпровідника | діод SiC/транзистор | ||
Напруга сток-джерело | 1кВ | ||
Струм стока | 49А | ||
Корпус | SP6C | ||
Топологія | напівміст MOSFET + послідовні діоди + паралельні діоди | ||
Електричний монтаж | конектори FASTON, пригвинчуваний | ||
Опір в стані провідності | 156мОм | ||
Струм стоку в імпульсі | 240А | ||
Потужність розсіювання | 1,25кВт | ||
Технологія | POWER MOS 7®, SiC | ||
Напруга затвор-джерело | ±30В | ||
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто300 g
Сертифікати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. є імпортером виробів цієї марки
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100A13SCGКількість штук (Кратність: 4)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 4 pcs - 231.15 EURЦіна брутто для партій від 4 pcs - 231.15 EUR
Пропозиція доступна для зареєстрованих клієнтів