APTM10DAM02G
Модуль; діод/транзистор; 100В; 370А; SP6C; Idm: 1900А; 1,25кВт
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Позначення виробника:
APTM10DAM02G
Символ TME:
APTM10DAM02G
Специфікація
Виробник | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | ||
Структура напівпровідника | діод/транзистор | ||
Напруга сток-джерело | 100В | ||
Струм стока | 370А | ||
Корпус | SP6C | ||
Топологія | boost chopper | ||
Електричний монтаж | конектори FASTON, пригвинчуваний | ||
Опір в стані провідності | 2,5мОм | ||
Струм стоку в імпульсі | 1900А | ||
Потужність розсіювання | 1,25кВт | ||
Технологія | POWER MOS 5® | ||
Напруга затвор-джерело | ±30В | ||
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто300 g
Сертифікати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. є імпортером виробів цієї марки
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM10DAM02GКількість штук (Кратність: 5)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 5 pcs - 159.61 EURЦіна брутто для партій від 5 pcs - 159.61 EUR
Пропозиція доступна для зареєстрованих клієнтів