APTM120A20DG
Модуль; діод/транзистор; 1,2кВ; 37А; SP6C; Idm: 200А; 1,25кВт
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Позначення виробника:
APTM120A20DG
Символ TME:
APTM120A20DG
Специфікація
Виробник | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | ||
Структура напівпровідника | діод/транзистор | ||
Напруга сток-джерело | 1,2кВ | ||
Струм стока | 37А | ||
Корпус | SP6C | ||
Топологія | напівміст MOSFET + послідовні діоди | ||
Електричний монтаж | конектори FASTON, пригвинчуваний | ||
Опір в стані провідності | 0,24Ом | ||
Струм стоку в імпульсі | 200А | ||
Потужність розсіювання | 1,25кВт | ||
Технологія | POWER MOS 7® | ||
Напруга затвор-джерело | ±30В | ||
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто300 g
Сертифікати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. є імпортером виробів цієї марки
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120A20DGКількість штук (Кратність: 4)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 4 pcs - 240.70 USDЦіна брутто для партій від 4 pcs - 240.70 USD
Пропозиція доступна для зареєстрованих клієнтів