APTM120DA30CT1G
Модуль; діод SiC/транзистор; 1,2кВ; 23А; SP1; Press-in PCB; 657Вт
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Позначення виробника:
APTM120DA30CT1G
Символ TME:
APTM120DA30CT1G
Специфікація
Виробник | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | ||
Структура напівпровідника | діод SiC/транзистор | ||
Напруга сток-джерело | 1,2кВ | ||
Струм стока | 23А | ||
Корпус | SP1 | ||
Топологія | boost chopper, термістор NTC | ||
Електричний монтаж | Press-in PCB | ||
Опір в стані провідності | 0,36Ом | ||
Струм стоку в імпульсі | 195А | ||
Потужність розсіювання | 657Вт | ||
Технологія | POWER MOS 8®, SiC | ||
Напруга затвор-джерело | ±30В | ||
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто80 g
Сертифікати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. є імпортером виробів цієї марки
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120DA30CT1GКількість штук (Кратність: 12)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 12 pcs - 65.97 EURЦіна брутто для партій від 12 pcs - 65.97 EUR
Пропозиція доступна для зареєстрованих клієнтів