+1 500 000 продуктів в пропозиції

7000 щодня наданих посилок

+300 000 клієнтів з 150 країн

Quick Buy Обране
Кошик

Важлива інформація для клієнтів з України.

Тут ви дізнаєтесь більше

Увага! Фірма Transfer Multisort Elektronik (власник товарного знаку TME) інформує, що не має в Україні філії, офісу, залежної компанії, відділення ані представництва.

Тут ви дізнаєтесь більше

GD200FFX65C6S

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 200А


Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Позначення виробника:
GD200FFX65C6S
Символ TME:
GD200FFX65C6S

Специфікація

Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Тип напівпровідникового модуля
IGBT
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Топологія
3-фазний міст IGBT, термістор NTC
Зворотна напруга макс.
650В
Струм колектора
200А
Корпус
C6 62mm
Електричний монтаж
Press-in PCB
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора в імпульсі
400А
Технологія
Trench FS IGBT
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Маса брутто300 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Модулі IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD200FFX65C6S
0 на складі TME
Кількість штук (Кратність: 10)
Мінімальна кількість для замовлення: 10.
Кратність: 10.
Продукт на спеціальне замовлення