+1 500 000 продуктів в пропозиції

7000 щодня наданих посилок

+300 000 клієнтів з 150 країн

Quick Buy Обране
Кошик

Важлива інформація для клієнтів з України.

Тут ви дізнаєтесь більше

Увага! Фірма Transfer Multisort Elektronik (власник товарного знаку TME) інформує, що не має в Україні філії, офісу, залежної компанії, відділення ані представництва.

Тут ви дізнаєтесь більше

GD200HFX65C8S

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 650В


Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Позначення виробника:
GD200HFX65C8S
Символ TME:
GD200HFX65C8S

Специфікація

Виробник
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Тип напівпровідникового модуля
IGBT
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Топологія
півмісток IGBT
Зворотна напруга макс.
650В
Струм колектора
200А
Корпус
C8 48mm
Електричний монтаж
конектори FASTON, пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора в імпульсі
400А
Технологія
Trench FS IGBT
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Маса брутто200 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Модулі IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD200HFX65C8S
0 на складі TME
Кількість штук (Кратність: 16)
Мінімальна кількість для замовлення: 16.
Кратність: 16.
Продукт на спеціальне замовлення