IXFN100N50P
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN100N50P
Символ TME:
IXFN100N50P
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 500В | |
Струм стока | 75А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 49мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 250А | |
Потужність розсіювання | 1,04кВт | |
Технологія | HiPerFET™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 240нКл | |
Час готовності | 200нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.07 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50PКількість штук (Кратність: 1)
278 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 45.66 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 45.66 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 43.90 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 43.90 USD
Ціна нетто для партій від 30 pcs - 42.15 USDЦіна брутто для партій від 30 pcs - 42.15 USD
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs