IXFN100N50Q3
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 82А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN100N50Q3
Символ TME:
IXFN100N50Q3
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 500В | |
Струм стока | 82А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 49мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 300А | |
Потужність розсіювання | 960Вт | |
Технологія | HiPerFET™, Q3-Class | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 255нКл | |
Час готовності | 250нс | |
Напруга затвор-джерело | ±40В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто35.83 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50Q3Кількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 63.33 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 63.33 EUR
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 55.93 EURЦіна брутто для партій від 3 pcs - 55.93 EUR
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 50.24 EURЦіна брутто для партій від 10 pcs - 50.24 EUR