IXFN132N50P3
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 112А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN132N50P3
Символ TME:
IXFN132N50P3
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 500В | |
Струм стока | 112А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 39мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 330А | |
Потужність розсіювання | 1,5кВт | |
Технологія | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 250нКл | |
Час готовності | 250нс | |
Напруга затвор-джерело | ±40В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.28 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN132N50P3Кількість штук (Кратність: 1)
276 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 38.43 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 38.43 USD
Ціна нетто для партій від 5 pcs - 36.68 USDЦіна брутто для партій від 5 pcs - 36.68 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 34.82 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 34.82 USD
Ціна нетто для партій від 100 pcs - 34.24 USDЦіна брутто для партій від 100 pcs - 34.24 USD
Продукт важкодоступний
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs