IXFN140N25T
Модуль; одиночний транзистор; 250В; 120А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN140N25T
Символ TME:
IXFN140N25T
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 250В | |
Струм стока | 120А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 17мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 400А | |
Потужність розсіювання | 690Вт | |
Технологія | GigaMOS™, HiPerFET™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 255нКл | |
Час готовності | 200нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.12 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN140N25TКількість штук (Кратність: 300)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 300 pcs - 28.23 EURЦіна брутто для партій від 300 pcs - 28.23 EUR
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs