IXFN140N30P
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 110А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN140N30P
Символ TME:
IXFN140N30P
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 300В | |
Струм стока | 110А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 24мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 300А | |
Потужність розсіювання | 700Вт | |
Технологія | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 185нКл | |
Час готовності | 200нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.02 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN140N30PКількість штук (Кратність: 1)
7 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 39.10 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 39.10 USD
Ціна нетто для партій від 5 pcs - 33.60 USDЦіна брутто для партій від 5 pcs - 33.60 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 32.07 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 32.07 USD
Продукт важкодоступний
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs