IXFN160N30T
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN160N30T
Символ TME:
IXFN160N30T
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 300В | |
Струм стока | 130А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 19мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 444А | |
Потужність розсіювання | 900Вт | |
Технологія | GigaMOS™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 376нКл | |
Час готовності | 200нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто35.8 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN160N30TКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 29.83 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 29.83 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 27.04 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 27.04 USD
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs