IXFN170N65X2
Модуль; одиночний транзистор; 650В; 170А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN170N65X2
Символ TME:
IXFN170N65X2
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 650В | |
Струм стока | 170А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 13мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 340А | |
Потужність розсіювання | 1,17кВт | |
Технологія | HiPerFET™, X2-Class | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 434нКл | |
Час готовності | 270нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.09 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN170N65X2Кількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 53.75 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 53.75 USD
Ціна нетто для партій від 5 pcs - 48.07 USDЦіна брутто для партій від 5 pcs - 48.07 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 45.15 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 45.15 USD
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs