IXFN180N25T
Модуль; одиночний транзистор; 250В; 168А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN180N25T
Символ TME:
IXFN180N25T
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 250В | |
Струм стока | 168А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 12,9мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 500А | |
Потужність розсіювання | 900Вт | |
Технологія | GigaMOS™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 364нКл | |
Час готовності | 200нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.15 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN180N25TКількість штук (Кратність: 1)
23 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 27.68 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 27.68 EUR
Ціна нетто для партій від 5 pcs - 22.03 EURЦіна брутто для партій від 5 pcs - 22.03 EUR
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 19.78 EURЦіна брутто для партій від 10 pcs - 19.78 EUR
Ціна нетто для партій від 100 pcs - 18.54 EURЦіна брутто для партій від 100 pcs - 18.54 EUR
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs