IXFN210N20P
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 188А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN210N20P
Символ TME:
IXFN210N20P
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 200В | |
Струм стока | 188А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 10,5мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 600А | |
Потужність розсіювання | 1,07кВт | |
Технологія | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 255нКл | |
Час готовності | 200нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.01 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN210N20PКількість штук (Кратність: 1)
291 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 35.11 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 35.11 EUR
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 33.80 EURЦіна брутто для партій від 10 pcs - 33.80 EUR
Ціна нетто для партій від 20 pcs - 32.61 EURЦіна брутто для партій від 20 pcs - 32.61 EUR
Ціна нетто для партій від 50 pcs - 31.30 EURЦіна брутто для партій від 50 pcs - 31.30 EUR
Ціна нетто для партій від 100 pcs - 30.11 EURЦіна брутто для партій від 100 pcs - 30.11 EUR
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs