IXFN210N30P3
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 192А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN210N30P3
Символ TME:
IXFN210N30P3
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 300В | |
Струм стока | 192А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 14,5мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 550А | |
Потужність розсіювання | 1,5кВт | |
Технологія | HiPerFET™, Polar3™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 268нКл | |
Час готовності | 250нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.05 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN210N30P3Кількість штук (Кратність: 1)
1 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 32.58 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 32.58 EUR
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 29.64 EURЦіна брутто для партій від 10 pcs - 29.64 EUR
Ціна нетто для партій від 20 pcs - 27.95 EURЦіна брутто для партій від 20 pcs - 27.95 EUR
Ціна нетто для партій від 200 pcs - 26.98 EURЦіна брутто для партій від 200 pcs - 26.98 EUR
Продукт доступний тільки до вичерпання складських запасів
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs