IXFN210N30X3
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN210N30X3
Символ TME:
IXFN210N30X3
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 300В | |
Струм стока | 210А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 4,6мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 650А | |
Потужність розсіювання | 695Вт | |
Технологія | HiPerFET™, X3-Class | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 375нКл | |
Час готовності | 190нс | |
Напруга затвор-джерело | ±20В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.14 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN210N30X3Кількість штук (Кратність: 1)
12 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 50.40 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 50.40 USD
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 47.84 USDЦіна брутто для партій від 3 pcs - 47.84 USD
Ціна нетто для партій від 5 pcs - 46.49 USDЦіна брутто для партій від 5 pcs - 46.49 USD
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs