IXFN300N10P
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 295А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN300N10P
Символ TME:
IXFN300N10P
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 100В | |
Струм стока | 295А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 5,5мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 900А | |
Потужність розсіювання | 1,07кВт | |
Технологія | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 279нКл | |
Час готовності | 200нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.17 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN300N10PКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 44.08 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 44.08 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 40.89 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 40.89 USD
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs