IXFN360N10T
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 360А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN360N10T
Символ TME:
IXFN360N10T
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 100В | |
Струм стока | 360А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 2,6мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 900А | |
Потужність розсіювання | 830Вт | |
Технологія | GigaMOS™, HiPerFET™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 525нКл | |
Час готовності | 130нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто36.9 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN360N10TКількість штук (Кратність: 1)
244 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 25.99 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 25.99 USD
Ціна нетто для партій від 5 pcs - 25.05 USDЦіна брутто для партій від 5 pcs - 25.05 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 24.00 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 24.00 USD
Ціна нетто для партій від 20 pcs - 23.47 USDЦіна брутто для партій від 20 pcs - 23.47 USD
Ціна нетто для партій від 50 pcs - 22.49 USDЦіна брутто для партій від 50 pcs - 22.49 USD
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcsКоробка = 60 pcs