IXFN36N100
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN36N100
Символ TME:
IXFN36N100
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 1кВ | |
Струм стока | 36А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 0,24Ом | |
Струм стоку в імпульсі | 144А | |
Потужність розсіювання | 694Вт | |
Технологія | HiPerFET™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 380нКл | |
Час готовності | 180нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.27 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN36N100Кількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 86.71 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 86.71 EUR
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 76.60 EURЦіна брутто для партій від 3 pcs - 76.60 EUR
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 68.81 EURЦіна брутто для партій від 10 pcs - 68.81 EUR
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs