IXFN40N110P
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN40N110P
Символ TME:
IXFN40N110P
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 1,1кВ | |
Струм стока | 34А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 0,26Ом | |
Струм стоку в імпульсі | 100А | |
Потужність розсіювання | 890Вт | |
Технологія | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 310нКл | |
Час готовності | 300нс | |
Напруга затвор-джерело | ±40В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто35.8 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN40N110PКількість штук (Кратність: 1)
1 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 22.72 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 22.72 EUR
Продукт доступний тільки до вичерпання складських запасів
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs