IXFN52N90P
Модуль; одиночний транзистор; 900В; 43А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN52N90P
Символ TME:
IXFN52N90P
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 900В | |
Струм стока | 43А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 0,16Ом | |
Струм стоку в імпульсі | 104А | |
Потужність розсіювання | 890Вт | |
Технологія | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 308нКл | |
Час готовності | 300нс | |
Напруга затвор-джерело | ±40В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.28 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN52N90PКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 57.07 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 57.07 USD
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 50.48 USDЦіна брутто для партій від 3 pcs - 50.48 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 45.39 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 45.39 USD
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs