IXFN60N80P
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN60N80P
Символ TME:
IXFN60N80P
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 800В | |
Струм стока | 53А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 0,14Ом | |
Струм стоку в імпульсі | 150А | |
Потужність розсіювання | 1,04кВт | |
Технологія | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 250нКл | |
Час готовності | 250нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.31 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN60N80PКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 46.68 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 46.68 USD
Ціна нетто для партій від 2 pcs - 44.92 USDЦіна брутто для партій від 2 pcs - 44.92 USD
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 43.28 USDЦіна брутто для партій від 3 pcs - 43.28 USD
Ціна нетто для партій від 5 pcs - 41.87 USDЦіна брутто для партій від 5 pcs - 41.87 USD
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs