IXFN80N50P
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 66А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN80N50P
Символ TME:
IXFN80N50P
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 500В | |
Струм стока | 66А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 65мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 200А | |
Потужність розсіювання | 700Вт | |
Технологія | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 195нКл | |
Час готовності | 200нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто30 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N50PКількість штук (Кратність: 300)
0 на складі TME
Продукт на спеціальне замовлення
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs