IXFN80N60P3
Модуль; одиночний транзистор; 600В; 66А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN80N60P3
Символ TME:
IXFN80N60P3
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 600В | |
Струм стока | 66А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 77мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 200А | |
Потужність розсіювання | 960Вт | |
Технологія | HiPerFET™, Polar3™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 0,19мкКл | |
Час готовності | 250нс | |
Напруга затвор-джерело | ±40В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.1 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N60P3Кількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 33.75 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 33.75 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 27.44 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 27.44 USD
Ціна нетто для партій від 20 pcs - 25.24 USDЦіна брутто для партій від 20 pcs - 25.24 USD
Ціна нетто для партій від 50 pcs - 23.39 USDЦіна брутто для партій від 50 pcs - 23.39 USD
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs