IXFN82N60P
Модуль; одиночний транзистор; 600В; 72А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN82N60P
Символ TME:
IXFN82N60P
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 600В | |
Струм стока | 72А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 75мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 200А | |
Потужність розсіювання | 1,04кВт | |
Технологія | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 240нКл | |
Час готовності | 200нс | |
Напруга затвор-джерело | ±40В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто29.69 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60PКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 37.05 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 37.05 EUR
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 30.37 EURЦіна брутто для партій від 10 pcs - 30.37 EUR
Ціна нетто для партій від 100 pcs - 28.45 EURЦіна брутто для партій від 100 pcs - 28.45 EUR
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs