IXFN82N60Q3
Модуль; одиночний транзистор; 600В; 66А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN82N60Q3
Символ TME:
IXFN82N60Q3
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 600В | |
Струм стока | 66А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 75мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 240А | |
Потужність розсіювання | 960Вт | |
Технологія | HiPerFET™, Q3-Class | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 275нКл | |
Час готовності | 300нс | |
Напруга затвор-джерело | ±40В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто27.3 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60Q3Кількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 57.75 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 57.75 USD
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 54.33 USDЦіна брутто для партій від 3 pcs - 54.33 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 51.59 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 51.59 USD
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs