IXGN72N60C3H1
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 52А; SOT227B
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXGN72N60C3H1
Символ TME:
IXGN72N60C3H1
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | IGBT | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Зворотна напруга макс. | 0,6кВ | |
Струм колектора | 52А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Напруга затвор - емітер | ±20В | |
Струм колектора в імпульсі | 360А | |
Потужність розсіювання | 360Вт | |
Технологія | GenX3™, PT | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто30 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Модулі IGBT IXYS,
* IXGN72N60C3H1Кількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 33.80 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 33.80 USD
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 29.36 USDЦіна брутто для партій від 3 pcs - 29.36 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 27.57 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 27.57 USD